鐘振的主要技術(shù)規(guī)格
來源：http://m.djbyg.com 作者：jinluodz 2013年05月10
1、標(biāo)稱頻率：石英晶體振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。
2、頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25°C± 2°C）下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。
3、頻率控制范圍：某種規(guī)格的振蕩器所能產(chǎn)生頻率的頻帶范圍。
4、頻率穩(wěn)定度：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25°C時(shí)測量值的最大允許頻率偏差。
5、工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其他各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。
6、老化：在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對變化。
7、電源電壓：加在振蕩器電源端（Vcc）的能夠使振蕩器正常工作的電壓。
8、電源電流：流過振蕩器電源端（Vcc）的總電流。
9、高電平電壓（VOH）：在合適負(fù)載下振蕩器輸出高電平所允許的最小電壓。
10、 低電平電壓（VOL）：在合適負(fù)載下振蕩器輸出低電平所允許的最大電壓。
11、 占空比：反映輸出波形的對稱性，也就是，在一個(gè)周期內(nèi)，高電平與低電平所占比例之比。
12 、上升時(shí)間（Tr）：方波從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間。
13、 下降時(shí)間（Tf）：方波從高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)間。
14、 相位噪聲：用于表述振蕩器的短期頻率波動，通常定義為載波發(fā)生某一頻率偏移時(shí)在1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率密度，單位為dBc/Hz。
15 、 HCMOS/TTL 兼容：設(shè)計(jì)振蕩器使之既能驅(qū)動TTL負(fù)載，又能驅(qū)動HCMOSL負(fù)載，同時(shí)維持最小的HCMOS邏輯高電平。
16 、扇出：描述振蕩器帶負(fù)載的能力，表示一個(gè)輸出能帶負(fù)載的數(shù)目，可用一個(gè)等效負(fù)載電容CL表示，或者用一個(gè)由二極管、負(fù)載電阻及一個(gè)電容組成的TTL負(fù)載電路表示。
2、頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25°C± 2°C）下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。
3、頻率控制范圍：某種規(guī)格的振蕩器所能產(chǎn)生頻率的頻帶范圍。
4、頻率穩(wěn)定度：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25°C時(shí)測量值的最大允許頻率偏差。
5、工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其他各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。
6、老化：在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對變化。
7、電源電壓：加在振蕩器電源端（Vcc）的能夠使振蕩器正常工作的電壓。
8、電源電流：流過振蕩器電源端（Vcc）的總電流。
9、高電平電壓（VOH）：在合適負(fù)載下振蕩器輸出高電平所允許的最小電壓。
10、 低電平電壓（VOL）：在合適負(fù)載下振蕩器輸出低電平所允許的最大電壓。
11、 占空比：反映輸出波形的對稱性，也就是，在一個(gè)周期內(nèi)，高電平與低電平所占比例之比。
12 、上升時(shí)間（Tr）：方波從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間。
13、 下降時(shí)間（Tf）：方波從高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)間。
14、 相位噪聲：用于表述振蕩器的短期頻率波動，通常定義為載波發(fā)生某一頻率偏移時(shí)在1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率密度，單位為dBc/Hz。
15 、 HCMOS/TTL 兼容：設(shè)計(jì)振蕩器使之既能驅(qū)動TTL負(fù)載，又能驅(qū)動HCMOSL負(fù)載，同時(shí)維持最小的HCMOS邏輯高電平。
16 、扇出：描述振蕩器帶負(fù)載的能力，表示一個(gè)輸出能帶負(fù)載的數(shù)目，可用一個(gè)等效負(fù)載電容CL表示，或者用一個(gè)由二極管、負(fù)載電阻及一個(gè)電容組成的TTL負(fù)載電路表示。
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